Модуль оперативной памяти AMD Radeon SO-DIMM DDR3 4GB 1600MHz (R534G1601S1S-UGO)
Основная информация о товаре
8138210
Электроника/Компьютеры и комплектующие/Компьютерные комплектующие/Оперативная память
AMD
-
-
1729,00 RUB
-
03.02.2020 03:22:20
09.01.2023 06:24:08
Да
28
1 / 1
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Active to Precharge Delay (tRAS) | 28 тактов |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 тактов |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 тактов |
| Напряжение питания, В | 1.5 В |
| CAS Latency (CL) | 11 тактов |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Стандарт памяти | PC3-12800 (1600 МГц) |
| Частота | 1600 МГц |
| Суммарный объем памяти | 4 ГБ |
| Емкость одного модуля | 4 ГБ |
| Количество в комплекте | 1 |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Тип памяти | DDR3 |
| Тип | Модуль оперативной памяти |
| tCL (задержка сигнала CAS) | 11 тактов |
| tRCD (задержка между RAS и CAS) | 11 тактов |
| tRP (время подзарядки строки) | 11 тактов |
| tRAS (время активности строки) | 28 тактов |
| Вес в упаковке, г | 10 |
| Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота), см | 9 x 4 x 2 |
| Бренд | AMD |
| Гарантия | 3 года |
| Партномер | R534G1601S1S-UGO |
| Страна-изготовитель | Тайвань |
| Год выпуска | 2017 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Поддерживаемая буферизация памяти | Unbuffered |
| Поддерживаемый метод контроля ошибок | non-ECC |