Patriot Memory PVE244G266C6
Основная информация о товаре
61964916
-
Patriot Memory
-
-
1773,00 RUB
-
12.02.2022 09:29:23
07.12.2021 18:01:06
Да
27
1 / 1
Фотографии
Описание
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 4 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Артикул производителя (Part Number) | PVE244G266C6 |
| Стандарт | DDR4 |
| Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой. | DIMM |
| Объем одного модуля | 4 ГБ |
| Количество модулей в комплекте | 1 шт |
| Суммарный объем | 4 ГБ |
| Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память. | 2666 МГц |
| Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора. | 21300 Мб/с |
| Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти. | Нет |
| Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. | Нет |
| Линейка | Viper Elite II |
| Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов. | Нет |
| Количество контактов | 288 |
| CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше. | 16 |
| Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4. | 1.2 В |
| Максимальная выделяемая мощность | 3 Вт |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | 85 °C |
| Радиатор | Есть |
| Наличие подсветки | Нет |
| Габариты | 133.4 x 35 x 5 мм |
| RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ. | 17 |
| Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память. | 17 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше. | 43 |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | 95 °C |
| XMP совместимая память | Да |
| Цвет радиатора | Красный |
| Вид поставки | Retail |