PSD416G240081

Основная информация о товаре

61964724

-

-

-

-

5313,00 RUB

-

12.02.2022 09:27:43

04.12.2021 23:57:17

Да

20

1 / 1

Описание

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 16 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 2400 МГц, а пропускная способность – 19200 Мб/с.

Свойства

Название Значение
Суммарный объем 16 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Объем одного модуля 16 ГБ
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой. DIMM
Стандарт DDR4
Линейка Signature
Артикул производителя (Part Number) PSD416G240081
Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память. 2400 МГц
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора. 19200 Мб/с
Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти. Нет
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше. 39
Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память. 17
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ. 17
Габариты 133.4 мм
Радиатор Нет
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4. 1.2 В
CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше. 17
Количество контактов 288
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов. Нет