Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273DH0-CK0)
Основная информация о товаре
4319377
-
-
-
-
-
-
15.03.2020 21:57:52
09.04.2020 00:43:24
Да
15
1 / 1
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Поддержка XMP | нет |
| Поддержка ECC | нет |
| Объем | 1 модуль 4 ГБ |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| Пропускная способность | 12800 МБ/с |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тип памяти | DDR3 |
| Количество ранков | 2 |