Оперативная память 512 МБ 1 шт. Hynix DDR2 533 SO-DIMM 512Mb
Основная информация о товаре
4319350
-
-
-
-
-
-
05.04.2020 03:50:22
01.02.2020 17:20:01
Да
14
1 / 1
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Количество ранков | 1 |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество чипов каждого модуля | 4, односторонняя упаковка |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Поддержка ECC | нет |
| Объем | 1 модуль 512 МБ |
| Пропускная способность | 4200 МБ/с |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тип памяти | DDR2 |