Оперативная память 1 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 667 SO-DIMM 1Gb
Основная информация о товаре
4319324
-
-
-
-
-
-
05.04.2020 03:52:06
08.02.2023 12:04:24
Да
14
1 / 1
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Количество ранков | 2 |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Поддержка ECC | нет |
| Объем | 1 модуль 1 ГБ |
| Пропускная способность | 5300 МБ/с |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тип памяти | DDR2 |