Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz PNY SO-DIMM (MN4GSD42666)
Основная информация о товаре
34803876
Память оперативная
PNY
-
-
2200,00 RUB
-
19.01.2023 11:57:16
21.01.2023 17:19:19
Да
17
1 / 1
Фотографии
Описание
4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL19-19-19-40, 1.2 В
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40 |
| Система охлаждения | нет |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Тип памяти | DDR-4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Производитель | PNY |
| Код производителя | MN4GSD42666 |
| Объём памяти | 4 Гб |
| Объем одного модуля | 4 Гб |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Гарантия | 60 мес. |
| Сайт производителя | https://www.pny.eu/ru/ |