SSD GOODRAM IRDM M.2 256GB IR-SSDPR-P34B-256-80
Основная информация о товаре
33872293
SSD диски
-
-
-
137,05 BYN
-
06.10.2021 07:40:33
10.03.2021 11:52:01
Да
21
0 / 0
Описание
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1000 MBps, случайный доступ: 149000/250000 IOps
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Производитель | GOODRAM |
| Модель | IRDM M.2 256GB IR-SSDPR-P34B-256-80 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 800 000 ч |
| Дата выхода на рынок | 2020 г. |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Контроллер | Phison PS5012-E12 |
| Объём | 256 ГБ |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 150 TBW |
| Скорость последовательного чтения | 3 000 МБ/с |
| Гарантийное обслуживание осуществляется в: | Список сервис-центров |
| Гарантийное сервисное обслуживание | Нет данных |
| Гарантия | 12 мес. |
| Страна производства | Китай |
| Импортер/поставщик | ПоказатьЧУП СДЛдистри, Минский район, р-н д.Боровляны, ул.40 лет Победы, д.27/1, к.33 |
| Производитель бренда | Вилк Електроник СА. Польша, ул. Миколовска 42 43-173 лазиска Горне.(Wilk Elektronik SA. Польша, ul. Mikolowska 42 43-173 laziska Gorne.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.goodram.com/ru/ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Средняя скорость случайной записи | 250 000 IOps |
| Средняя скорость случайного чтения | 149 000 IOps |
| Скорость последовательной записи | 1 000 МБ/с |