Оперативная память PNY Performance MD4GSD42666
Основная информация о товаре
25062230
Оперативная память DDR4 DIMM
PNY
-
-
-
-
04.02.2023 05:24:01
19.11.2020 09:24:27
Да
21
1 / 1
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| PN | MD4GSD42666 |
| Модель | Performance |
| Производитель | PNY |
| Тип памяти | DDR4 |
| Количество контактов | 288 |
| Количество чипов | 8 |
| Количество ранков | 1 |
| Радиатор | нет |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Форм фактор | DIMM |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Поддержка ECC | нет |
| Общий объём | 4 Гб |
| Объем | 1 модуль 4Gb |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |