Память Kingston KVR26N19S8/8
Основная информация о товаре
11223396
Модули памяти
-
-
-
-
-
07.12.2020 01:05:05
30.08.2023 06:32:48
Да
14
1 / 1
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Количество ранков | 1 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Поддержка ECC | нет |
| Объем | 1 модуль 8 ГБ |
| Пропускная способность | 21300 МБ/с |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | DIMM 288-контактный |