Оперативная память AMD R534G1601S1SL-UO
Основная информация о товаре
11222765
Модули памяти
-
-
-
-
-
28.11.2020 14:17:35
16.04.2020 22:16:27
Да
13
1 / 1
Фотографии
Свойства
Название | Значение |
---|---|
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
Напряжение питания | 1.35 В |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
CAS Latency (CL) | 11 |
Тип памяти | DDR3L |
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 МБ/с |
Объем | 1 модуль 4 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |