Оперативная память AMD R534G1601S1SL-UO

Основная информация о товаре

11222765

Модули памяти

-

-

-

-

-

28.11.2020 14:17:35

16.04.2020 22:16:27

Да

13

1 / 1

Свойства

Название Значение
Row Precharge Delay (tRP) 11
Напряжение питания 1.35 В
Activate to Precharge Delay (tRAS) 28
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
CAS Latency (CL) 11
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 МБ/с
Объем 1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет