Твердотельный накопитель Samsung MZ-V7S1T0BW
Основная информация о товаре
11222242
Внутренние твердотельные накопители (SSD)
-
-
-
-
-
01.12.2020 14:46:03
22.04.2020 08:52:25
Да
25
4 / 4
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Емкость | 1000 ГБ |
| Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
| Форм-фактор | 2280 |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
| Поддержка секторов размером 4 КБ | есть |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Макс. рабочая температура | 70° C |
| Ширина | 22.15 мм |
| Высота | 2.38 мм |
| Длина | 80.15 мм |
| Вес | 8 г |
| Поддержка TRIM | есть |
| Шифрование данных | есть |
| Объем буфера | 1024 МБ |
| Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
| Интерфейс PCI-E | есть |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 600 ТБ |
| Поддержка NVMe | есть |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 550000 IOPS |
| Скорость чтения | 3500 МБ/с |
| Разъем M.2 | есть |
| Скорость записи | 3300 МБ/с |