Оперативная память SODIMM Hynix [HMA81GS6DJR8N-XN] 8 ГБ [DDR4, 8 ГБx1 шт, 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22] [HMA81GS6DJR8N-XN]
Основная информация о товаре
102608119
Оперативная память SO-DIMM
Hynix
[HMA81GS6DJR8N-XN]
-
-
-
20.04.2024 07:33:40
15.05.2024 01:48:27
Да
15
0 / 0
Описание
Оперативная память Hynix [HMA81GS6DJR8N-XN] 8 ГБ представляет собой отдельную планку типа SODIMM DDR4, выпускаемую специально для эксплуатации в ноутбуке домашнего или офисного назначения. Модуль ОЗУ объемом 8 ГБ станет удачным решением, если в вашем ноутбуке присутствует свободный слот под планку оперативной памяти, а само устройство нуждается в модернизации с целью повышения быстродействия. Компонент демонстрирует пропускную способность на уровне PC25600, а его наибольшая поддерживаемая тактовая частота равняется 3200 МГц. Вы сможете подключить планку оперативной памяти из комплекта Hynix [HMA81GS6DJR8N-XN] 8 ГБ вместо одного из уже работающих модулей, который является устаревшим или отличается низкими рабочими показателями. Компонент имеет тайминги 22-22-22 и поддерживает работу при уровне входного напряжения 1.2 В. Данная особенность планки обеспечивает ее низкое энергопотребление и способствует повышению длительности автономной работы ноутбука.
Свойства
Название | Значение |
---|---|
Гарантия продавца | 36 мес. |
Страна-производитель | Корея, Республика |
Тип | оперативная память |
Модель | Hynix |
Код производителя | [HMA81GS6DJR8N-XN] |
Тип памяти | DDR4 |
Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ |
Объем одного модуля памяти | 8 ГБ |
Количество модулей в комплекте | 1 шт |
Частота | 3200 МГц |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
Количество чипов модуля | 8 |
Двухсторонняя установка чипов | есть |
Напряжение питания | 1.2 В |