Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-8G1600C11L] 8 ГБ [DDR3L, 8 ГБx1 шт, 1600 МГц, PC12800, тайминги: 11-11-11-30] [QUM3S-8G1600C11L]
Основная информация о товаре
102608087
Оперативная память SO-DIMM
QUMO
[QUM3S-8G1600C11L]
-
-
-
20.04.2024 07:33:40
15.05.2024 04:43:22
Да
17
0 / 0
Описание
Оперативная память SODIMM Qumo QUM3S-8G1600C11L 8 ГБ предназначена для использования в мобильных системах с небольшими габаритами. Модуль относится к стандарту DDR3, имеет рабочую частоту 1600 ГГц. В комплекте поставляется одна плашка для установки в соответствующий слот на материнской плате. Объем составляет 8 ГБ, этого будет достаточно для большинства пользователей. Qumo QUM3S-8G1600C11L 8 ГБ работает от напряжения 1.35 В. Тайминги CAS Latency – 11. Модуль имеет привычные габариты для данного стандарта, установка в слот не вызовет затруднений. В конструкции 204 контакта для соединения с материнской платой. Пропускная способность модуля высокая – 12800 МБайт/с. За счет этого обеспечивается оптимальная скорость работы системы, все команды выполняются в максимально короткое время. Стандартная температура при работе составляет 85 °C. Плашка изготовлена достаточно известным производителем, который давно выпускает различные запоминающие устройства.
Свойства
Название | Значение |
---|---|
Гарантия продавца / производителя | 120 мес. |
Страна-производитель | Китай |
Тип | оперативная память |
Модель | QUMO |
Код производителя | [QUM3S-8G1600C11L] |
Тип памяти | DDR3L |
Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ |
Объем одного модуля памяти | 8 ГБ |
Количество модулей в комплекте | 1 шт |
Частота | 1600 МГц |
CAS Latency (CL) | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 30 |
Количество чипов модуля | 16 |
Двухсторонняя установка чипов | есть |
Напряжение питания | 1.35 В |