Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE M471A2G43CB2-CWE 00000000000000
Основная информация о товаре
100375491
Память DDR5
Samsung
M471A2G43CB2-CWE
00000000000000
-
-
13.03.2024 15:38:38
06.04.2024 15:33:28
Да
46
0 / 0
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Производитель | Samsung |
| ширина(см) | 0.2 |
| длина(см) | 7 |
| высота(см) | 3 |
| id сертификата | 0 |
| rusName | [Модуль памяти] Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE |
| pictureID | 585566 |
| id | 11003847 |
| гарантия | 3 года |
| название | Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE |
| partNumber | M471A2G43CB2-CWE |
| Линейка | - |
| Модель | M471A2G43CB2-CWE |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Частота (MHz) | DDR4 - 3200 |
| Тип модуля | SO-DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) | 16 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Общий объем памяти (ГБ) | 16 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 25600 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Поддержка Reg | Нет |
| Низкопрофильная | нет |
| Количество чипов на модуле | - |
| Количество контактов | 260 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
| Row Precharge Delay (tRP) | - |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
| Радиатор | Нет |
| Поддержка водяного охлаждения | Нет |
| Подсветка | нет |
| Напряжение (В) | 1.2 |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
| Чип | - |
| Потребление энергии | - |
| Габариты (мм) | - |
| Высота (мм) | - |
| Вес (грамм) | - |
| Дополнительная информация | - |
| описание | Оперативная память <b> M471A2G43CB2-CWE </b> от Samsung |
| сайт производителя | http://semiconductor.samsung.com |
| GTIN | 00000000000000 |
| manufacturerCountry | Вьетнам |
| gtdNumber | 10005030/100124/3002598/012 |
| масса(кг) | 0.02 |