Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL 8GB (1x8GB), DDR5-4800, UDIMM, 1Rx16 M323R1GB4BB0-CQKOL 02770021915802
Основная информация о товаре
100301278
Память DDR5
Samsung
M323R1GB4BB0-CQKOL
02770021915802
-
-
22.09.2024 11:45:29
18.01.2024 02:14:52
Да
46
0 / 0
Свойства
Название | Значение |
---|---|
partNumber | M323R1GB4BB0-CQKOL |
название | Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL 8GB (1x8GB), DDR5-4800, UDIMM, 1Rx16 |
GTIN | 02770021915802 |
гарантия | 3 года |
id | 11002391 |
pictureID | 585230 |
rusName | [Модуль памяти] Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL 8GB (1x8GB), DDR5-4800, UDIMM, 1Rx16 |
id сертификата | 0 |
высота(см) | 0 |
длина(см) | 0 |
ширина(см) | 0 |
Производитель | Samsung |
сайт производителя | http://www.samsung.com/ru/ |
описание | Оперативная память <b> M323R1GB4BB0-CQKOL </b> от Samsung |
Дополнительная информация | - |
Вес (грамм) | - |
Высота (мм) | - |
Габариты (мм) | - |
Потребление энергии | - |
Чип | - |
Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
Напряжение (В) | 1.1 |
Подсветка | нет |
Цвет | зеленый |
Поддержка водяного охлаждения | Нет |
Радиатор | Нет |
Тайминги | 40 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
Row Precharge Delay (tRP) | - |
RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
CAS Latency (CL) | 40 |
Количество контактов | 288 |
Количество чипов на модуле | - |
Низкопрофильная | нет |
Поддержка Reg | Нет |
Поддержка ECC | Нет |
Пропускная способность (МБ/с) | 38400 |
Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
Тип модуля | DIMM |
Частота (MHz) | DDR5 - 4800 |
Тип оборудования | Оперативная память |
Модель | M323R1GB4BB0-CQKOL |
Линейка | - |