DDR4 SL 8GB

Набор

1 модуль

Назначение

для системного блока

Наличие радиатора

нет

Напряжение питания

1.2 В

Общий объем

8 Гб

Объем одного модуля

8 Гб

Пропускная способность

21300 Мб/с

Тактовая частота

2666 МГц

Тип памяти

оперативная память DDR4

Форм-фактор

DIMM

CAS Latency

19 Т

ECC

нет

PC-индекс

PC4-21300

Уточните характеристики товара у наших менеджеров

Уточните характеристики товара у наших менеджеров

Буферизованная (Registered)

нет

Количество ранков

1

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Объем

1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC

нет

Пропускная способность

21300 МБ/с

Радиатор

есть

Тактовая частота

2666 МГц

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM 288-контактный

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Буферизация (Registered)

Нет

Гарантия

60 мес.

Количество модулей

1

Назначение

для настольного компьютера

Напряжение питания

1.2 В

Объем

8 Гб

Поддержка Extreme Memory Profile (XMP)

Нет

Подсветка

Нет

Проверка и коррекция ошибок (ECC)

Нет

Рабочая частота

2666 МГц

Радиаторы охлаждения

Нет

Тайминги (латентность)

19-19-19-43

Тип

DDR4

Бренд

Patriot

Гарантийное обслуживание осуществляется в:

Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание

Нет данных

Гарантия

12 мес.

Импортер/поставщик

ПоказатьООО "БВКомпьютерс" г. Минск, ул. Родниковая, 1а

Модель

Signature Line 8GB DDR4 PC4-21300 PSD48G266681

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Объем

8 ГБ

Производитель

Patriot

Производитель бренда

Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/

Страна производства

Китай

Тайминги

19-19-19-43

Тип

DDR4 DIMM

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19T

PC-индекс

PC4-21300

Количество ранков

1

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Объем

8 Гб

Охлаждение

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

одностороннее

Тайминги

19-19-19-43

Тип

DDR4 DIMM

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19T

ECC

Нет

PC-индекс

PC4-21300

Гарантия

60 мес.

Код производителя

PSD48G266681

Количество модулей в комплекте

1

Линейка

Signature

Напряжение питания

1.2 В

Объем одного модуля

8192 Мб

Объём памяти

8192 Мб

Производитель

PATRIOT MEMORY

Пропускная способность

21300 Мб/с

Сайт производителя

http://patriotmemory.com/

Система охлаждения

нет

Тактовая частота

2666 МГц

Тип памяти

DDR-4

Форм-фактор

DIMM

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Набор

нет

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

нет

Объем

8 ГБ

Охлаждение

нет

Профили AMP

нет

Профили XMP

нет

Расположение чипов

одностороннее

Тайминги

19-19-19-43

Тип

DDR4

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19 Т

ECC

нет

PC-индекс

PC4-21300

Артикул производителя (Part Number)

PSD48G266681

Буферизованная (регистровая)

Нет

Вид поставки

Blister Pack/Street Retail

Габариты

133.35 x 31.25 мм

Количество контактов

288

Количество модулей в комплекте

1 шт

Линейка

Signature Line

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильная

Нет

Нормальная операционная температура (Tcase)

85 °C

Объем одного модуля

8 ГБ

Поддержка ECC

Нет

Пропускная способность

21300 Мб/с

Радиатор

Нет

Расширенная операционная температура (Tcase)

95 °C

Стандарт

DDR4

Суммарный объем

8 ГБ

Форм-фактор

DIMM

Эффективная частота

2666 МГц

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Вес (брутто, кг)

0.1

Количество контактов

288

Модель

PSD48G266681

Напряжение питания

1.2 В

Общий объём

8 Гб

Объем

1 модуль 8Gb

Производитель

Patriot

Пропускная способность

21300 Мб/с

Радиатор

нет

Срок гарантии

5 лет

Тактовая частота

2666 МГц

Тип памяти

DDR4

Форм фактор

DIMM

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

PN

PSD48G266681

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Высота

31.25 мм

Гарантия

3 года

Количество модулей в комплекте

1 шт

Модель

Patriot Signature Line

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Объем модуля, Гб

8 ГБ

Партнам

[PSD48G266681]

Поддерживаемые режимы работы

2133 МГц, 2666 МГц, 2400 МГц, 1866 МГц, 1600 МГц

Подсветка элементов платы

нет

Пропускная способность

PC21300

Профили Intel XMP

нет

Радиатор

нет

Регистровая память

нет

Тактовая частота, Мгц

2666 МГц

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

ECC-память

нет

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Артикул

tpv_742130

Бренд

PATRIOT

Вес в упаковке, г

10

Емкость одного модуля

8 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Название модели

PSD48G266681

Партномер

PSD48G266681

Суммарный объем памяти

8 ГБ

Тактовая частота, МГц

2666

Тип

Модуль оперативной памяти

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Буферизация памяти

не буферизованная

Высота

31 мм

Емкость памяти

8 ГБ

Количество модулей памяти в наборе

1 шт.

Максимальная пропускная способность

21300 Мб/с

Максимальная рабочая частота

2666 МГц

Назначение

для настольного компьютера

Напряжение питания

1.2 В

Тайминги

CL19 (19-19-19-43)

Тип памяти

DDR4

Толщина

2.8 мм

Цена

794 грн

Ширина

133 мм

Штрихкод EAN-13

814914024294

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

нет

Объем

8 Гб

Основные

1

Охлаждение

нет

Профили AMP

нет

Профили XMP

нет

Расположение чипов

одностороннее

Тайминги

19-19-19-43

Технические характеристики

одностороннее

Тип

DDR4 DIMM

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19T

ECC

нет

PC-индекс

PC4-21300

Назначение

для системного блока

Общий объем

8 Гб

Тактовая частота

2666 МГц

Тип памяти

оперативная память DDR4

Форм-фактор

DIMM

Буферизованная (Registered)

нет

Гарантия

СЦ производителя

Количество ранков

1

Количество чипов каждого модуля

8, односторонняя упаковка

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile)

Да

Объем

1 модуль 8 ГБ

Объем модуля, Гб

8

Поддержка ECC

нет

Поддержка XMP

нет

Пропускная способность

21300 МБ/с

Тактовая частота

2666 МГц

Тактовая частота, Мгц

2666 МГц

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM 288-контактный

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Бренд

Patriot

Количество планок в комплекте

1

Количество ранков

1

Назначение

Компьютерная

Объем памяти

8 ГБ

Схема таймингов

CL19

Тип памяти (function (Horoshop) { Horoshop.Widgets.Hint.initHintContentLoader("default", 0, 20, 6257, 3); })(window.Horoshop);

DIMM DDR4

Частота памяти

2666 МГц

Part-Number

PSD48G266681

Бренд

Patriot

Гарантия

3 года

Напряжение питания

1.2 В

Объем

8 ГБ

Охлаждение

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Срок службы

5 лет

Тайминги

19-19-19-43

Тип

DDR4 DIMM

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19T

PC-индекс

PC4-21300

Высота

0.31 см

Количество контактов

288

Количество слотов памяти

1

Количество чипов модуля

8

Конструкция модуля памяти

односторонняя

Назначение

стационарные (настольные) ПК

Напряжение питания

1.2 В

Нормальная операционная температура (Tcase)

0-40 °

Объем модуля памяти

8 Гб

Поддерживаемые режимы работы

1866, 2666, 2400, 2133, 1600 МГц

Поддержка XMP

да

Пропускная способность

21300 Мб/с

Ранг модуля памяти

Single

Тип памяти

DDR4

Тип поставки

Ret

Толщина

0.72 см

Форм фактор поддерживаемой памяти

DIMM

Цвет памяти

черный

Цвет подсветки

нет

Частота памяти

2666 МГц

Ширина

13.33 см

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

CL19

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Бренд

Patriot

Код вендора

PSD48G266681

Количество модулей памяти в комплекте, шт.

1

Латентность

CL19

Модель

PSD48G266681

Название товара

Модуль оперативной памяти

Назначение

для компьютера

Объём

8Gb

Объем одного модуля памяти

8Gb

Особенности

NON-ECC

Охлаждение

Нет

Питание

1.2 В

Пропускная способность (Рабочая частота)

PC4-21300 2666MHz

Прочие особенности и свойства

н/д

Рабочая частота, МГц

2666

Размеры, вес

н/д

Сайт производителя

www.patriotmemory.com

Тайминги

19-19-19-43

Тип модуля памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Гарантия производителя

10 лет

Количество модулей в комплекте

1

Общий объем памяти

8 ГБ

Основные характеристики

Основные характеристики

Пропускная способность

21300 Мбит/с

Стандарт памяти

PC3-21300 (DDR3 2666 МГц)

Страна

Тайвань

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Артикул производителя

PSD48G266681

Бренд

PATRIOT

Количество контактов

288

Количество модулей в комплекте

1

Линейка

Signature

Назначение

для компьютера

Напряжение питания

1,2В

Общий объем, гигабайт

8

Объем одного модуля, гигабайт

8

Пропускная способность, Мегабит/с

21300

Система охлаждения

не предустановлена

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Частота, мегагерц

2666

Activate to Precharge Delay (tRAS)

43

CAS Latency (CL)

19

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19

Количество ранков

1

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Объем

8 Гб

Охлаждение

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

одностороннее

Тайминги

19-19-19-43

Тип

DDR4 DIMM

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19T

ECC

Нет

PC-индекс

PC4-21300

Количество ранков

1

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Объем

8 ГБ

Охлаждение

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

одностороннее

Тайминги

19-19-19-43

Тип

DDR4 DIMM

Частота

2666 МГц

CAS Latency

19T

ECC

Нет

PC-индекс

PC4-21300

Вес с упаковкой

35

Высота упаковки

7

Длина упаковки

175

Емкость одного модуля

8 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Пропускная способность, Мб/с

21300

Радиатор

Нет

Суммарный объем памяти

8 ГБ

Тайминги

19-19-19-43

Тактовая частота, МГц

2666

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Ширина упаковки

55

CAS Latency (CL)

19 тактов

Набор

1 модуль

Назначение

для системного блока

Наличие радиатора

нет

Напряжение питания

1.2 В

Общий объем

8 Гб

Объем одного модуля

8 Гб

Пропускная способность

21300 Мб/с

Тактовая частота

2666 МГц

Тип памяти

оперативная память DDR4

Форм-фактор

DIMM

CAS Latency

19 Т

ECC

нет

PC-индекс

PC4-21300

Вес с упаковкой

35

Высота упаковки

7

Длина упаковки

175

Емкость одного модуля

8 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Пропускная способность, Мб/с

21300

Радиатор

Нет

Суммарный объем памяти

8 ГБ

Тайминги

19-19-19-43

Тактовая частота, МГц

2666

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Ширина упаковки

55

CAS Latency (CL)

19 тактов

Артикул производителя (Part Number)

PSD48G266681

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.

Нет

Вид поставки

Blister Pack/Street Retail

Габариты

133.35 x 31.25 мм

Количество контактов

288

Количество модулей в комплекте

1 шт

Линейка

Signature Line

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.

1.2 В

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.

Нет

Нормальная операционная температура (Tcase)

85 °C

Объем одного модуля

8 ГБ

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.

Нет

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.

21300 Мб/с

Радиатор

Нет

Расширенная операционная температура (Tcase)

95 °C

Стандарт

DDR4

Суммарный объем

8 ГБ

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.

DIMM

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.

2666 МГц

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.

43

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.

19

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.

19

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.

19