|
|
|
Оперативная память Samsung DDR 1024Mb PC3200 200MHz
|
- Source: www.kns.ru
- Category: Оперативная память DDR DIMM
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price:
|
- Радиатор: нет
- Пропускная способность: 3200 Мб/с
- Объем: 1 модуль 1Gb
- Тип памяти: DDR
- Форм фактор: DIMM
- Количество контактов: 184
- Тактовая частота: 400 МГц
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- Общий объём: 1 Гб
and more properties: 1 pcs
|
|
|
|
|
|
|
Оперативная память Samsung DDR 1024Mb PC3200 400MHz
|
- Source: www.kns.ru
- Category: Оперативная память DDR DIMM
- Vendor: Samsung
- Article:
- Ean:
- Price:
|
- Количество контактов: 184
- Форм фактор: DIMM
- Тип памяти: DDR
- Производитель: Samsung
- Пропускная способность: 3200 Мб/с
- Тактовая частота: 400 МГц
- Объем: 1 модуль 1Gb
- Общий объём: 1 Гб
- Радиатор: нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
and more properties: 2 pcs
|
|
|
|
|
|
|
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 1024Mb PC8500 1066MHz
|
- Source: www.kns.ru
- Category: Оперативная память SODIMM
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price:
|
- Тактовая частота: 1066 МГц
- Радиатор: нет
- Напряжение питания: 1.5 В
- Row Precharge Delay (tRP): 7
- RAS to CAS Delay (tRCD): 7
- CAS Latency (CL): 7
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Поддержка ECC: нет
- Общий объём: 1 Гб
and more properties: 5 pcs
|
|
|
|
|
|
|
Оперативная память Samsung SODIMM DDR2 1024Mb PC5300 667MHz
|
- Source: www.kns.ru
- Category: Оперативная память SODIMM
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price:
|
- Радиатор: нет
- Напряжение питания: 1.8 В
- Row Precharge Delay (tRP): 5
- RAS to CAS Delay (tRCD): 5
- CAS Latency (CL): 5
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Поддержка ECC: нет
- Общий объём: 1 Гб
- Объем: 1 модуль 1Gb
and more properties: 5 pcs
|
|
|
|
|
|
|
Оперативная память Samsung DDR3 1024Mb PC-10666 1333MHz
|
- Source: www.kns.ru
- Category: Оперативная память DDR3 DIMM
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price:
|
- Тип памяти: DDR3
- Форм фактор: DIMM
- Количество контактов: 240
- RAS to CAS Delay (tRCD): 9
- Радиатор: нет
- Напряжение питания: 1.5 В
- Row Precharge Delay (tRP): 9
- CAS Latency (CL): 9
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- Буферизованная (Registered): нет
and more properties: 5 pcs
|
|
|
|
|
|
|
SSD SAMSUNG 860 Pro 1TB MZ-76P1T0
|
- Source: bigi.by
- Category: SSD-диски
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price: 731.43 BYN
|
- Интерфейс: SATA 3.0
- Адаптер 3.5": Нет
- Толщина: 6.8 мм
- Время наработки на отказ (МТBF): 2 000 000 ч
- Энергопотребление (ожидание): 0.0025 Вт
- Энергопотребление (чтение/запись): 2 Вт
- Средняя скорость случайной записи: 90 000 IOps
- Средняя скорость случайного чтения: 100 000 IOps
- Скорость последовательной записи: 530 МБ/с
- Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с
and more properties: 7 pcs
|
|
|
|
|
|
|
SSD Samsung 860 Pro 1TB MZ-76P1T0
|
- Source: fk.by
- Category: Комплектующие
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price: 1441.00 BYN
|
- Энергопотребление (чтение/запись): 2 Вт
- Адаптер 3.5": нет
- Толщина: 6.8 мм
- Средняя скорость случайного чтения: 100 000 IOps
- Объём: 1 ТБ
- Форм-фактор: 2.5"
- Интерфейс: SATA 3.0
- Буфер: 1 024 МБ
- Контроллер: Samsung MJX
- Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND
and more properties: 6 pcs
|
|
|
|
|
|
|
SSD SAMSUNG 860 Pro 1TB MZ-76P1T0
|
- Source: bigi.by
- Category: SSD-диски
- Vendor:
- Article:
- Ean:
- Price: 704.07 BYN
|
- Время наработки на отказ (МТBF): 2 000 000 ч
- Дата выхода на рынок: 2018 г.
- Объём: 1 ТБ
- Форм-фактор: 2.5"
- Интерфейс: SATA 3.0
- Тип микросхем Flash: 3D MLC NAND
- Контроллер: Samsung MJX
- Буфер: 1 024 МБ (LPDDR4)
- Аппаратное шифрование: AES 256bit
- Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с
and more properties: 7 pcs
|
|
|
|
