1.024TB

Аппаратное шифрование

есть (AES 256 bit)

Вес

10 г

Время наработки на отказ (МТBF)

160000 ч

Длина

80 мм

Интерфейс передачи данных

NVMe 1.3

Комплектация

документация

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Объем

1 Тб

Подключение

M.2 ключ M

Скорость последовательного чтения

3230 Мб/с

Скорость последовательной записи

1625 Мб/с

Скорость случайного чтения

340000 IOPS

Скорость случайной записи

275000 IOPS

Тип

SSD диск

Тип флэш-памяти

3D TLC NAND

Типоразмер M.2

2280

Форм-фактор накопителя

M.2

Ширина

22 мм

Энергопотребление (ожидание)

0.025 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.06 Вт

Вес (брутто, кг)

0.1

Модель

760p

Объем HDD

1 Тб

Подключение

PCI-E

Производитель

Intel

Скорость записи

1670 Мб/с

Скорость чтения

3200 Мб/с

Срок гарантии

5 лет

Тип накопителя

твердотельный (SSD)

Форм-фактор

М.2

PN

SSDPEKKW010T8X1

Бренд

Intel

Вес, кг

0.01

Интерфейс подключения

PCI-E 3.0 x4

Код вендора

SSDPEKKW010T8X1 962568

Модель

760p Series

Объём

1 Tb

Поставляется вместе

нет

Пропускная способность интерфейса

8 Гб/сек

Прочие особенности и свойства

Время наработки на отказ 1600000 ч Тип памяти NAND 3D2 TLC Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 350000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 280000 Поддержка NVMe

Размеры

22 x 80 x 2 мм (M.2 односторонний)

Сайт производителя

www.intel.com

Скорость записи, Мб/с

1625

Скорость чтения, Мб/с

3230

Стойкость к перегрузкам

1000G при работе и в выключенном состоянии

Тип

Твердотельный накопитель SSD

Тип памяти

TLC

Уровень шума в различных режимах

Бесшумный

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление

0.01 Вт

Адаптер 3.5

Нет

Время наработки на отказ, ч

1600000

Интерфейс

PCIe Gen3.1

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Максимальная рабочая температура, °C

70

Объем

1 Тб

Поддержка TRIM

Да

Потребляемая мощность (макс.), Вт

0.05

Скорость последовательного чтения, Мб/с

3230

Скорость последовательной записи, Мб/с

1625

Скорость случайного чтения, IOps

340000

Скорость случайной записи, IOps

275000

Суммарное число записываемых байтов (TBW), Тб

576

Тип устройства

SSD

Тип флеш-памяти

3D TLC

Ударостойкость при работе, G

1000

Ударостойкость при хранении, G

1000

Форм-фактор

M.2 (2280)

Адаптер 3.5

Нет

Время наработки на отказ, ч

1 600 000

Интерфейс

PCIe Gen3.1

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Максимальная рабочая температура, °C

70

Объем

1024 Гб

Поддержка TRIM

Да

Потребляемая мощность (макс.), Вт

0.05

Скорость последовательного чтения, Мб/с

3 230

Скорость последовательной записи, Мб/с

1 625

Скорость случайного чтения, IOps

340 000

Скорость случайной записи, IOps

275 000

Суммарное число записываемых байтов (TBW), Тб

576

Тип устройства

SSD

Тип флеш-памяти

3D TLC

Ударостойкость при работе, G

1 000

Ударостойкость при хранении, G

1 000

Форм-фактор

M.2 (2280)

Вес

10 г

Время наработки на отказ

1600000 ч

Высота

2.38 мм

Длина

80 мм

Емкость

1024 ГБ

Интерфейс PCI-E

есть

Макс. рабочая температура

70° C

Назначение

для ноутбука и настольного компьютера

Поддержка секторов размером 4 КБ

есть

Поддержка NVMe

есть

Разъем M.2

есть

Скорость записи

1625 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)

275000 IOPS

Скорость чтения

3230 МБ/с

Суммарное число записываемых байтов (TBW)

576 ТБ

Тип флэш-памяти

TLC 3D NAND

Тип PCI-E

PCI-E 3.1 x4

Ударостойкость при работе

1000 G

Ударостойкость при хранении

1000 G

Форм-фактор

2280

Ширина

22 мм

Шифрование данных

есть

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Гарантийное обслуживание осуществляется в:

Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание

Нет данных

Гарантия

12 мес.

Дата выхода на рынок

2018 г.

Импортер/поставщик

ПоказатьООО «Амдбай». Минская область, Минский район, Щомыслицкий с/с, 16, комната 21/8

Интерфейс

PCI Express 3.0 x4

Комплект поставки

Накопитель с документацией в фирменной коробке

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Модель

760p 1.024TB SSDPEKKW010T8X1

Объём

1.024 ТБ

Производитель

Intel

Производитель бренда

Интел Корпоратион. 2200 Миссион Коллеге Блвд. Санта Цлара, ЦА 95054-1549 УСА.(Intel Corporation. 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054-1549 USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.intel.ru/content/www/ru/ru/homepage.htm

Скорость последовательного чтения

3 230 МБ/с

Скорость последовательной записи

1 625 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

340 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

275 000 IOps

Страна производства

Китай

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление (ожидание)

0.025 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.05 Вт

Бренд

Intel

Вес, кг

0.01

Время наработки на отказ

1600000 ч

Высота, см

2.2

Длина, см

8

Объем

1024 Гб

Скорость записи/Скорость чтения

1670/3200 Мб/с

Тип товара

SSD накопители

Тип флэш-памяти

TLC 3D NAND

Форм-фактор HDD

M.2

Ширина, см

0.238

Вес

10 г

Время наработки на отказ

1600000 ч

Высота

2.38 мм

Длина

80 мм

Емкость

1024 ГБ

Интерфейс PCI-E

есть

Макс. рабочая температура

70° C

Назначение

для ноутбука и настольного компьютера

Поддержка секторов размером 4 КБ

есть

Поддержка NVMe

есть

Разъем M.2

есть

Скорость записи

1625 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)

275000 IOPS

Скорость чтения

3230 МБ/с

Суммарное число записываемых байтов (TBW)

576 ТБ

Тип флэш-памяти

TLC 3D NAND

Тип PCI-E

PCI-E 3.1 x4

Ударостойкость при работе

1000 G

Ударостойкость при хранении

1000 G

Форм-фактор

2280

Ширина

22 мм

Шифрование данных

есть

Адаптер 3.5

Нет

Время наработки на отказ, ч

1600000

Интерфейс

PCIe Gen3.1

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Максимальная рабочая температура, °C

70

Объем

1 Тб

Поддержка TRIM

Да

Потребляемая мощность (макс.), Вт

0.05

Скорость последовательного чтения, Мб/с

3230

Скорость последовательной записи, Мб/с

1625

Скорость случайного чтения, IOps

340000

Скорость случайной записи, IOps

275000

Суммарное число записываемых байтов (TBW), Тб

576

Тип устройства

SSD

Тип флеш-памяти

3D TLC

Ударостойкость при работе, G

1000

Ударостойкость при хранении, G

1000

Форм-фактор

M.2 (2280)

Время наработки на отказ

1600000 ч

Гарантия

36 мес.

Дополнительная информация

Endurance Rating (Lifetime Writes): 576 TBW

Интерфейс

PCI-E x4

Код производителя

SSDPEKKW010T8X1

Линейка

760p Series

Назначение

внутренний

Объём накопителя

1024 Гб

Производитель

Intel

Сайт производителя

www.intel.com

Скорость записи

1625 Мб/сек

Скорость чтения

3230 Мб/сек

Тип

SSD

Тип флэш-памяти

TLC

Форм-фактор

M.2

Артикул производителя (Part Number)

SSDPEKKW010T8X1

Версия PCI-E

4x

Вес брутто

50 г

Вес нетто

0.04 кг

Вид поставки

Retail

Внешняя скорость передачи данных, до

3940 МБ/с

Габариты

22 x 1.5 x 80 мм

Длина

80 мм

Ёмкость

1024 GB

Ёмкость (после форматирования)

953.6 GiB

Количество циклов стирания/записи

3000

Линейка

760p

Максимальная скорость записи

1625 МБ/с

Максимальная скорость чтения

3230 МБ/с

Назначение

Для настольного компьютера, Для ноутбука

Объем TBW

576 ТБ

Разъемы

PCI-E

Ревизия PCI-E

3.1

Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)

340000 IOPS

Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)

275000 IOPS

Среднее время наработки на отказ (MTBF)

1600000 ч

Ссылка на описание на сайте производителя

www.intel.com

Тип

SSD

Тип памяти

TLC 3D NAND

Ударостойкость при работе

1000 G

Ударостойкость при хранении

1000 G

Форм-фактор

M.2

Шифрование данных

Есть, AES 256 bit

Энергопотребление

5 Вт

Вес:

10 г

Время наработки на отказ:

1600000 ч

Высота:

2.38 мм

Длина:

80 мм

Емкость:

1024 ГБ

Интерфейс PCI-E:

есть

Код производителя:

SSDPEKKW010T8X1 962568

Макс. рабочая температура:

70° C

Назначение:

для ноутбука и настольного компьютера

Поддержка секторов размером 4 КБ:

есть

Поддержка NVMe:

есть

Разъем M.2:

есть

Скорость записи:

1625 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):

275000 IOPS

Скорость чтения:

3230 МБ/с

Суммарное число записываемых байтов (TBW):

576 ТБ

Тип флэш-памяти:

TLC 3D NAND

Тип PCI-E:

PCI-E 3.1 x4

Ударостойкость при работе:

1000 G

Ударостойкость при хранении:

1000 G

Форм-фактор:

2280

Ширина:

22 мм

Шифрование данных:

есть

Адаптер 3.5"

нет

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Интерфейс

PCI Express 3.0 x4

Комплект поставки

Накопитель с документацией в фирменной коробке

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Объём

1 ТБ

Размеры устройств M.2

2280

Скорость последовательного чтения

3 230 МБ/с

Скорость последовательной записи

1 625 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

340 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

275 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление (ожидание)

0.025 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.05 Вт

Вес брутто

0.1кг

Высота упаковки

150мм

Гарантия (мес)

60

Длина упаковки

20мм

Интерфейс диска

SATA III (6Gb/s)

Модель

DC S3110

Назначение диска

Enterprise

Объём диска

1TB

Производитель

Intel

Тип памяти

3D TLC

Форм-фактор диска

2.5″

Ширина упаковки

115мм

Бренд

Intel

Вес

10 г

Время наработки на отказ

1600 тыс.ч.

Емкость

1024 Гб

Интерфейс

PCI-E x4

Назначение

для настольного компьютера

Поддержка секторов размером 4 Кб

есть

Ресурс SSD (TBW)

576 Тб

Скорость случайной записи (блоки по 4 Кб)

275000 IOPS

Тип flash-памяти

TLC

Ударостойкость при работе

1000 G

Ударостойкость при хранении

1000 G

Форм-фактор

M.2

Адаптер 3.5"

Нет

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Вариант поставки

розничная

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Дата выхода на рынок

2018 г.

Интерфейс

PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)

Комплект поставки

Накопитель с документацией в фирменной коробке

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Объём

1 ТБ

Охлаждение

Нет

Подсветка

Нет

Размеры устройств M.2

2280

Ресурс записи

576 TBW

Скорость последовательного чтения

3 230 МБайт/с

Скорость последовательной записи

1 625 МБайт/с

Средняя скорость случайного чтения

340 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

275 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND (64-слойная)

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление (ожидание)

0.025 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.05 Вт

Артикул

168972

Бренд

Intel

Интерфейс

PCIe

Объем диска

1 Тб

Партномер

SSDPEKKW010T8X1

Применение диска

Для серверов

Тип

Внутренний жесткий диск

Тип диска

SSD (твердотельные)

Форм-фактор диска

M.2

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Буфер

512 МБ

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Гарантийное обслуживание осуществляется в:

Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание

Нет данных

Гарантия

12 мес.

Дата выхода на рынок

2017 г.

Импортер/поставщик

ПоказатьООО «Амдбай». Минская область, Минский район, Щомыслицкий с/с, 16, комната 21/8

Интерфейс

SATA 3.0

Контроллер

Silicon Motion SM2259

Модель

545s 1.024TB SSDSC2KW010T8X1

Объём

1.024 ТБ

Производитель

Intel

Производитель бренда

Интел Корпоратион. 2200 Миссион Коллеге Блвд. Санта Цлара, ЦА 95054-1549 УСА.(Intel Corporation. 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054-1549 USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.intel.ru/content/www/ru/ru/homepage.htm

Скорость последовательного чтения

550 МБ/с

Скорость последовательной записи

500 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

75 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

85 000 IOps

Страна производства

Китай

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND

Толщина

7 мм

Форм-фактор

2.5

Энергопотребление (ожидание)

0.05 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

4.5 Вт

Бренд

APC by Schneider Electric

Вес брутто

7.5кг

Вес брутто (кг)

0.2кг

Время работы при нагрузке 100%

3.7мин.

Время работы при нагрузке 50%

12.6мин.

Входное напряжение

230V

Входной разъём

Сетевой шнур (Schuko)

Высота упаковки

127мм

Высота упаковки (мм)

20мм

Выходных разъёмов Schuko

8

Габариты (мм)

89 x 224 x 311

Гарантия (мес)

24

Горячая замена батареи

Да

Длина упаковки

400мм

Длина упаковки (мм)

100мм

Защита локальной сети

Да

Защита телефонной линии

Да

Интерфейс диска

PCIe NVMe 3.1 x4

Интерфейсный порт USB

Да

Код склада

40427

Модель

760P

Мощность

405Вт

Назначение диска

Desktop

Назначение ИБП

ИБП для компьютера

Объём диска

1TB

Производитель

Intel

Сайт производителя

ark.intel.com

Скорость записи MB/s

1625

Скорость чтения MB/s

3230

Стандартное время подзарядки

16ч

Тип защиты

Stand-by

Тип памяти

3D TLC

Форм-фактор

Tower

Форм-фактор диска

M.2 2280

Цвет

Чёрный

Ширина упаковки

279мм

Ширина упаковки (мм)

120мм

IOPS произвольного чтения

340000

IOPS произвольной записи

275000

Гарантия, мес

60

Интерфейс

PCI-E 3.0 (x4)

Модель

M.2 2280 1TB

Наработка на отказ

1.6 млн.часов

Объем памяти

1 TB

Производитель

INTEL

Серия

SSD 760p

Скорость записи, макс.

1800 Mb/s

Скорость чтения, макс.

1800 Mb/s

Страна производства

США

Тип

внутренний

Форм-фактор

M.2

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Дата выхода на рынок

2018 г.

Интерфейс

PCI Express 3.0 x4

Контроллер

Silicon Motion SM2263

Объём

1.024 ТБ

Охлаждение

Нет

Размеры устройств M.2

2280

Скорость последовательного чтения

1 800 МБ/с

Скорость последовательной записи

1 800 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

150 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

220 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D QLC NAND

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление (ожидание)

0.04 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.1 Вт

Адаптер 3.5"

Нет

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Дата выхода на рынок

2018 г.

Интерфейс

PCI Express 3.1 x4  (NVMe 1.3)

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Объём

1.024 ТБ

Размеры устройств M.2

2280

Скорость последовательного чтения

3 230 МБ/с

Скорость последовательной записи

1 625 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

340 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

275 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND  (64-слойная)

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление (ожидание)

0.025 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.05 Вт

Адаптер 3.5"

Нет

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Буфер

512 МБ

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Дата выхода на рынок

2017 г.

Интерфейс

SATA 3.0

Контроллер

Silicon Motion SM2259

Объём

1.024 ТБ

Скорость последовательного чтения

550 МБ/с

Скорость последовательной записи

500 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

75 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

85 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND

Толщина

7 мм

Форм-фактор

2.5"

Энергопотребление (ожидание)

0.05 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

4.5 Вт

Время наработки на отказ

1600000 ч

Гарантия

36 мес.

Дополнительная информация

Endurance Rating (Lifetime Writes): 576 TBW

Интерфейс

PCI-E x4

Код производителя

SSDPEKKW010T8X1

Линейка

760p Series

Назначение

внутренний

Объём накопителя

1024 Гб

Производитель

INTEL

Сайт производителя

http://www.intel.com/index.htm?ru_RU_05

Скорость записи

1625 Мб/сек

Скорость чтения

3230 Мб/сек

Тип

SSD

Тип флэш-памяти

TLC

Форм-фактор

M.2

Бренд

INTEL

Вес

10 г

Емкость

1 Тб

Интерфейс

PCIe

Интерфейс SSD

M.2 PCI-Express Gen3 x4 (PCIe) 8 Гб/сек

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Короткое описание

SSD накопитель серии 760p, M.2 2280, емкость 1 Тб, память 3D TLC, интерфейс M.2 PCI-Express Gen3 x4 (PCIe) 8 Гб/сек, макс.скорость чтения 3230 МБ/с, макс.скорость записи 1625 МБ/с, TRIM, Background Garbage Collection, NVMe, 0.05 Вт

Максимальная скорость записи, МБ/с

1625

Максимальная скорость чтения, МБ/с

3230

Максимальные перегрузки

1000G при работе и в выключенном состоянии

Ожидаемый срок службы MTBF

1,6 млн часов (средняя наработка на отказ)

Поддержка NVMe

есть

Поддержка TRIM

есть

Потребление энергии

0.05 Вт в режиме Active, 0.025 Вт в режиме Idle

Размеры

22 x 80 x 2 мм

Ресурс DWPD

0.32 перезаписи всего объема накопителя в день (DWPD - Drive Writes Per Day) в течение 5 лет

Ресурс SSD

576 TBW

Тип накопителя

SSD

Тип памяти

3D TLC (Triple Level Cell)

Тип устройства

SSD накопитель серии 760p для персональных компьютеров

Форм-фактор

M.2 2280

Шифрование данных

AES 256 бит

Background Garbage Collection

есть

IOmeter, скорость записи 4Кб файлов

275 000 IOPS

Part-Number

SSDPEKKW010T8X1

Бренд

INTEL

Емкость SSD

1 Тб

Интерфейс SSD

PCIe, M.2 NVMe

Тип накопителя SSD

Внутренний

Тип элементов памяти

3D2 TLC

Форм-фактор

M.2

Part-Number

SSDPEKKW010T8X1

Адаптер 3.5"

Нет

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Буфер

512 МБ

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Дата выхода на рынок

2017 г.

Интерфейс

SATA 3.0

Контроллер

Silicon Motion SM2259

Объём

1.024 ТБ

Скорость последовательного чтения

550 МБ/с

Скорость последовательной записи

500 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

75 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

85 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND

Толщина

7 мм

Форм-фактор

2.5"

Энергопотребление (ожидание)

0.05 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

4.5 Вт

Артикул

SSDPEKKW010T8X1

Виробник

INTEL

Гарантія, міс

60

Інтерфейс підключення

PCI Express 3.0 x4

Модель

M.2 2280 1TB

Напрацювання на відмову

1.6 млн. годин

Об'єм пам'яті

1 TB

Примітка

Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Серія

SSD 760p

Тип накопичувача

внутрішній

Форм-фактор

M.2

Швидкість запису

1800 Mb/s

Швидкість читання

1800 Mb/s

Штрихкод

5032037118293

Адаптер 3.5"

Нет

Аппаратное шифрование

AES 256bit

Время наработки на отказ (МТBF)

1 600 000 ч

Дата выхода на рынок

2018 г.

Интерфейс

PCI Express 3.1 x4 (NVMe 1.3)

Контроллер

Silicon Motion SM2262

Объём

1.024 ТБ

Размеры устройств M.2

2280

Скорость последовательного чтения

3 230 МБ/с

Скорость последовательной записи

1 625 МБ/с

Средняя скорость случайного чтения

340 000 IOps

Средняя скорость случайной записи

275 000 IOps

Тип микросхем Flash

3D TLC NAND (64-слойная)

Форм-фактор

M.2

Энергопотребление (ожидание)

0.025 Вт

Энергопотребление (чтение/запись)

0.05 Вт

Вес

10 г

время наработки на отказ

1600000 ч

Время наработки на отказ

1600000 ч

Высота

2.38 мм

Длина

80 мм

емкость

1000 ГБ

Емкость

1000 ГБ

интерфейс подключения

M.2, PCI-E 3.1 x4

Интерфейс PCI-E

есть

Макс. рабочая температура

70° C

Назначение

для ноутбука и настольного компьютера

Поддержка секторов размером 4 КБ

есть

Поддержка NVMe

есть

Разъем M.2

есть

рекомендован

для ноутбука и настольного компьютера

Скорость записи

1625 МБ/с

Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)

275000 IOPS

Скорость чтения

3230 МБ/с

скорость чтения/записи

3230 МБ/с / 1625 МБ/с

Суммарное число записываемых байтов (TBW)

576 ТБ

тип флэш-памяти

TLC 3D NAND

Тип флэш-памяти

TLC 3D NAND

Тип PCI-E

PCI-E 3.1 x4

Ударостойкость при работе

1000 G

Ударостойкость при хранении

1000 G

форм-фактор

2280

Форм-фактор

2280

Ширина

22 мм

Шифрование данных

есть