Редактировать

Silicon-Power DDR 4 DIMM 4Gb PC21300 2666Mhz

Категория: Оперативная память

Артикул: SP004GBLFU266N02 EAN: 4713436123286

Последние изменения внес:

Id: 1214420 Внешний Id: 2f8a6bd2-163d-42aa-9781-992eeb0b6d16 Типичные цены: 16,525854 USD - 137,801838 USD

Подтвержденные:

1000x1000 - (74355)

1200x480 - (224619)

1280x304 - (120599)

1102x263 - (97873)

900x1200 - (65841)

1200x645 - (275412)

1200x466 - (229369)

736x532 - (115122)

Исключенные:

701x188 - (33116)

1000x246 - (106407)

500x500 - (60442)

400x400 - (14028)

1280x304 - (120599)

1200x480 - (162505)

1102x263 - (97873)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Объем	Объем: 1 модуль 4 ГБ Объем: 1 модуль 4 ГБ Объем: 4 ГБ Объем: 4 ГБ Объем: 4 ГБ Объем: 4 ГБ Объем: 4 ГБ Объем: 1 модуль 4 ГБ Объём: 4 ГБ Суммарный объем: 4 ГБ		Гигабайты
Тип	Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM 288-pin Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4
ECC	ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: нет
Частота	Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Эффективная частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC4-213300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300
CAS Latency	CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency (CL): 19 CAS Latency (CL): 19 CAS Latency (CL): 19 CAS Latency (CL): 19
Тайминги	Тайминги: 19-19-19 Тайминги: 19-19-19 Тайминги: 19-19-19 Тайминги: 19-19-19 Тайминги: 19-19-19 Тайминги: 19
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В		Вольты
Профили XMP	Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет
Профили AMP	Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет
Охлаждение	Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная: Нет Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль
Ёмкость микросхем	Ёмкость микросхем: 4 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Число микросхем: 8 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4
Тип микросхем	Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4
Количество банков	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 Количество чипов на модуле: 8 шт Количество модулей в комплекте: 1 шт		Безразмерная величина
Число микросхем	Число микросхем: 8 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Ёмкость микросхем: 4 Гбит Тип микросхем: 512Mx8 Ёмкость микросхем: 8 Гбит Тип микросхем: 512Mx8		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В		Вольты
Производитель микросхем	Число микросхем: 8 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Число микросхем: 4 Производитель: Silicon-Power Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8 Тип микросхем: 512Mx8
Расположение чипов	Расположение чипов: одностороннее Расположение чипов: одностороннее Расположение чипов: одностороннее Расположение чипов: одностороннее Расположение чипов: одностороннее Расположение чипов: одностороннее Технические характеристики: одностороннее
Частота при разгоне	Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Эффективная частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 Количество чипов на модуле: 8 шт Количество модулей в комплекте: 1 шт		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 12 мес. Гарантийный срок: 12 мес. Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Срок службы *	Срок службы: 12 мес. Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Время доставки по стране	Тип поставки: один модуль 1x4Gb		Дни
Время доставки по городу			Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Silicon-Power Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/ Страна производства: Китай Артикул производителя (Part Number): SP004GBLFU266N02	Силикон Пауэр Компьютер и Коммуникэйшнс Инк. 5F, No.308-7, сек. 1, Датонг Роуд, Хижи, Нью Тайпей Сити 221, Тайвань, Китай
Импортер	Импортер/поставщик: ПоказатьООО"ИнтерКомпьютерСервис"	ООО "БВКомпьютерс" г. Минск, ул. Родниковая, 1а
Сервисные центры	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных	ЧТУП "Гигант-Трейд"г. Дзержинск, ул. Строителей 2а, офис 2
Комментарий		Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес брутто: 30 г		Килограммы
Ширина в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Длина в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Высота в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Вес в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Килограммы
Страна-производитель *	Производитель: Silicon-Power Страна производства: Китай Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/ Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В
Ширина в упаковке 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Длина в упаковке 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Высота в упаковке 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Длина в упаковке 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Высота в упаковке 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Количество упаковок	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 Количество чипов на модуле: 8 шт Количество модулей в комплекте: 1 шт
Сборка
Вес упаковки 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Килограммы
Вес упаковки 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Килограммы
Честный знак	ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Прослеживаемый товар	ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Видео	Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM 288-pin
Родитель	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В
Акция	Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon Power DDR4 4Gb 2666MHz pc-21300 (SP004GBLFU266N02)
TDP: 5 Вт; Тип: DDR4 DIMM; Набор: 1 модуль; Объём: 4 ГБ; ECC: Нет; Частота: 2666 МГц; PC-индекс: PC4-21300; Напряжение питания: 1.2 В; CAS Latency: 19T; Тайминги: 19-19-19; Профили XMP: Нет; Охлаждение: Нет