Signature Line 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800

Буферизованная (Registered)

нет

Гарантия

3 года

Количество ранков

2

Количество чипов каждого модуля

16, двусторонняя упаковка

Напряжение питания

1.5 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Объем модуля, Гб

4

Поддержка ECC

нет

Пропускная способность

12800 МБ/с

Тактовая частота MHz

1600

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SODIMM 204-контактный

Activate to Precharge Delay (tRAS)

28

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Код товара

B1440986

Вес

9 г

Вид гарантии

гарантийный талон

Гарантия

10 лет

Код товара

815530011330

Количество модулей в комплекте

1 шт

Объем одного модуля

4 ГБ

Объем памяти

4 ГБ

Производитель

PATRIOT

Пропускная способность

12800 МБ/сек

Страна

Тайвань

Тип оперативной памяти

DDR3

Тип поставки

Retail

Форм-фактор

SO-DIMM

Частота памяти

1600 МГц

trivialProductName

Оперативная память

Вид памяти

DDR3

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

Для ноутбука (SODIMM)

Напряжение питания, В

1.5

Низкопрофильная (Low Profile)

Нет

Общий объем памяти

4 Gb

Радиатор

Нет

Тактовая частота, МГц

1 600

CAS Latency

11T

Набор

1 модуль

Назначение

для ноутбука

Наличие радиатора

нет

Напряжение питания

1.5 В

Общий объем

4 Гб

Объем одного модуля

4 Гб

Пропускная способность

12800 Мб/с

Тактовая частота

1600 МГц

Тип памяти

оперативная память DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

CAS Latency

11 Т

ECC

нет

PC-индекс

PC3-12800

Бренд

Patriot

Вес, кг

0.03

Высота, см

6

Длина, см

17

Количество в упаковке

1

Напряжение питания

1.5 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Объем одного модуля

4 Гб

Поддержка ECC

нет

Пропускная способность

12800 Мб/с

Тактовая частота

1600 МГц

Тип памяти

DDR3

Тип товара

Память оперативная

Форм-фактор

для ноутбуков (SO-DIMM)

CAS Latency (CL)

11

Количество контактов

204-pin

Количество планок в комплекте, шт

1

Назначение

для настольного компьютера

Оперативная память (Буферизованная)

Unbuffered (Небуферизированная)

Оперативная память (объем)

4 ГБ

Оперативная память (тип)

DDR3 - 1600 МГц

Оперативная память (ECC)

Non-ECC

Оперативная память (Rank)

Dual Rank

Пропускная способность шины, Мб/сек

PC3-12800

Рабочее напряжение, В

1,5

Схема таймингов памяти

CL11

Тип охлаждения

Без охлаждения

Частота работы шины памяти, МГц

1600

(Збірка) Споживча потужність

5 Вт

Буферизация

unbuffered

Буферизація

unbuffered

Виробник

Patriot

Гарантия, мес

60

Гарантія, міс

60

Кількість модулів у наборі

1

Количество модулей в наборе

1

Країна виробництва

Тайвань

Модель

SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz

Напруга

1.5 V

Напряжение

1.5 V

Об'єм пам'яті

4 ГБ

Объем памяти

4 Gb

Охлаждение

нет

Охолодження

немає

Перевірка і корекція помилок (ECC)

non-ECC

Примечание

Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.

Примітка

Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.

Проверка и коррекция ошибок (ECC)

non-ECC

Производитель

Patriot

Стандарти пам'яті

PC3-12800

Стандарты памяти

PC3-12800

Страна производства

Тайвань

Тип пам'яті

DDR3

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор пам'яті

204-pin SO-DIMM

Форм-фактор памяти

204-pin SO-DIMM

Частота пам'яті

1600 MHz

Частота памяти

1600 MHz

Гарантия

60 мес.

Количество модулей в комплекте

1

Линейка

стандартная

Напряжение питания

1.5 В

Объем одного модуля

4096 Мб

Объём памяти

4096 Мб

Производитель

PATRIOT

Пропускная способность

12800 Мб/с

Сайт производителя

http://patriotmemory.com/

Система охлаждения

нет

Тактовая частота

1600 МГц

Тип памяти

DDR-3

Форм-фактор

SO-DIMM

CAS Latency (CL)

11

Буферизованная (регистровая)

Нет

Вес брутто

100 г

Вид поставки

Retail

Габариты

204 x 30 мм

Количество контактов

204

Количество модулей в комплекте

1 шт

Количество чипов на модуле

16 шт

Компоновка чипов на модуле

Двусторонняя

Напряжение питания

1.5 В

Низкопрофильная

Нет

Нормальная операционная температура (Tcase)

85 °C

Объем одного модуля

4 ГБ

Поддержка ECC

Нет

Пропускная способность

12800 Мб/с

Радиатор

Нет

Расширенная операционная температура (Tcase)

95 °C

Стандарт

DDR3

Суммарный объем

4 ГБ

Форм-фактор

SODIMM

Эффективная частота

1600 МГц

Activate to Precharge Delay (tRAS)

28

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Буферизованная (Registered)

нет

Вес (брутто, кг)

0.1

Количество контактов

204

Напряжение питания

1.5 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Общий объём

4 Гб

Объем

1 модуль 4Gb

Поддержка ECC

нет

Производитель

Patriot

Пропускная способность

12800 Мб/с

Срок гарантии

5 лет

Тактовая частота

1600 МГц

Тип памяти

DDR3

Форм фактор

SODIMM

CAS Latency (CL)

11

Емкость одного модуля

4 ГБ

Количество в комплекте

1

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания, В

3

Поддерживаемая буферизация памяти

Unbuffered

Поддерживаемый метод контроля ошибок

non-ECC

Пропускная способность, Мб/с

12800

Стандарт памяти

PC3-12800 (1600 МГц)

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Тип

Модуль оперативной памяти

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

Частота

1600 МГц

CAS Latency (CL)

11 тактов

tCL (задержка сигнала CAS)

11 тактов

Артикул производителя

PSD34G16002S

Бренд

PATRIOT

Игровая

Нет

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

для ноутбука

Напряжение питания

1,5В

Низкопрофильная

Да

Общий объем, гигабайт

4

Объем одного модуля, гигабайт

4

Поддержка ECC

Нет

Подсветка

Нет

Регистровая память

Нет

Система охлаждения

не предустановлена

Стандарт памяти

PC-12800

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

Частота, мегагерц

1600

Activate to Precharge Delay (tRAS)

28

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Вид памяти

DDR3

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

Для ноутбука (SODIMM)

Напряжение питания, В

1.5

Низкопрофильная (Low Profile)

Нет

Общий объем памяти

4 Gb

Радиатор

Нет

Тактовая частота, МГц

1600

CAS Latency

11T

Емкость одного модуля

4 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания, В

1.5 В

Поддерживаемая буферизация памяти

Unbuffered

Поддерживаемый метод контроля ошибок

non-ECC

Размеры, мм

69 х 30 х 3

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

CAS Latency (CL)

11 тактов

Емкость одного модуля

4 ГБ

Количество в комплекте

1

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания, В

1.5 В

Поддерживаемая буферизация памяти

Unbuffered

Поддерживаемый метод контроля ошибок

non-ECC

Размеры, мм

69 х 30 х 3

Стандарт памяти

PC3-12800 (1600 МГц)

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Тип

Модуль оперативной памяти

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

Частота

1600 МГц

CAS Latency (CL)

11 тактов

tCL (задержка сигнала CAS)

11 тактов

Гарантия

СЦ производителя

Количество контактов

204-pin

Латентность

CL11

Поддержка ECC

не поддерживается

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

Набор

нет

Напряжение питания

1.5 В

Низкопрофильный модуль

нет

Объем

4 ГБ

Охлаждение

нет

Профили AMP

нет

Профили XMP

нет

Тип

DDR3 SO-DIMM

Частота

1600 МГц

CAS Latency

11T

ECC

нет

PC-индекс

PC3-12800

Буферизация памяти

не буферизованная

Высота

30 мм

Емкость памяти

4 ГБ

Количество модулей памяти в наборе

1 шт.

Максимальная пропускная способность

12800 Мб/с

Максимальная рабочая частота

1600 МГц

Назначение

для ноутбука

Напряжение питания

1.5 В

Тайминги

CL11 (11-11-11)

Тип памяти

DDR3

Цена

432 грн

Ширина

67.6 мм

Штрихкод EAN-13

815530015406

Артикул

PSD34G16002S

Буферизация

unbuffered

Буферизація

unbuffered

Виробник

Patriot

Гарантия, мес

60

Гарантія, міс

60

Кількість модулів у наборі

1

Количество модулей в наборе

1

Модель

SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz

Напруга живлення

1.5 В

Напряжение

1.5 V

Об'єм пам'яті

4 ГБ

Объем памяти

4 ГБ

Охлаждение

нет

Охолодження

немає

Перевірка і корекція помилок (ECC)

non-ECC

Примечание

Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Примітка

Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Проверка и коррекция ошибок (ECC)

non-ECC

Производитель

Patriot

Стандарти пам'яті

PC3-12800

Стандарты памяти

PC3-12800

Тайминги

CL11

Таймінги

CL11

Тип пам'яті

DDR3

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор пам'яті

204-pin SO-DIMM

Форм-фактор памяти

204-pin SO-DIMM

Частота пам'яті

1600 МГц

Частота памяти

1600 MHz

Штрихкод

815530011330

Гарантия

60 мес.

Емкость одного модуля

4 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания, В

1.5 В

Партномер

PSD34G16002S

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Тактовая частота, МГц

1600

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

CAS Latency (CL)

11 тактов

Гарантия

60 мес.

Емкость одного модуля

4 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания, В

1.5 В

Партномер

PSD34G16002S

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Тактовая частота, МГц

1600

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

CAS Latency (CL)

11 тактов

Артикул

PSD34G16002S

Буферизація

unbuffered

Виробник

Patriot

Гарантія, міс

60

Кількість модулів у наборі

1

Модель

SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz

Напруга

1.5 V

Об'єм пам'яті

4 ГБ

Охолодження

немає

Перевірка і корекція помилок (ECC)

non-ECC

Примітка

Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Стандарти пам'яті

PC3-12800

Таймінги

CL11

Тип пам'яті

DDR3

Форм-фактор пам'яті

204-pin SO-DIMM

Частота пам'яті

1600 MHz

Бренд

Patriot

Вес

0.1 кг

Гарантия производителя

5 лет

Код производителя

PSD34G16002S

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.5 В

Объем одного модуля

4 Гб

Объем памяти

4 Гб

Пропускная способность

12800 Мб/с

Страна производитель

Китай

Тип памяти

DDR-3

Форм-фактор

SO-DIMM

Частота памяти

1600 МГц

Бренд

Patriot

Код вендора

PSD34G16002S

Количество модулей памяти в комплекте, шт.

1

Латентность

CL11

Модель

PSD34G16002S

Название товара

Модуль оперативной памяти

Назначение

для ноутбука

Объём

4Gb

Объем одного модуля памяти

4Gb

Охлаждение

Нет

Питание

1.5 В

Пропускная способность (Рабочая частота)

PC3-12800 1600MHz

Прочие особенности и свойства

н/д

Рабочая частота, МГц

1600

Размеры, вес

н/д

Сайт производителя

www.patriotmemory.com

Тайминги

11

Тип модуля памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

P\\N

PSD34G16002S

Вес

9 г

Габариты и вес

Габариты и вес

Гарантия производителя

30 лет

Дополнительно

Дополнительно

Количество модулей в комплекте

1

Общий объем памяти

4 ГБ

Объем памяти одного модуля

4 ГБ

Основные характеристики

Основные характеристики

Пропускная способность

12800 Мбит/с

Стандарт памяти

PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)

Страна

Тайвань

Тип памяти

DDR3

Тип поставки

Retail

Форм-фактор

SODIMM

Артикул производителя

PSD34G16002S

Бренд

PATRIOT

Игровая

Нет

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

для ноутбука

Напряжение питания

1,5В

Низкопрофильная

Да

Общий объем, гигабайт

4

Объем одного модуля, гигабайт

4

Поддержка ECC

Нет

Подсветка

Нет

Регистровая память

Нет

Система охлаждения

не предустановлена

Стандарт памяти

PC-12800

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

Частота, мегагерц

1600

Activate to Precharge Delay (tRAS)

28

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Буферизация

unbuffered

Вендор

PATRIOT

Количество в упаковке

1

Количество контактов

204-pin

Латентность

CL11

Объем

4096 МБ

Показатель скорости

PC3-12800

Срок гарантии

120 мес.

Тип памяти

DDR3

Тип поставки

Ret

Форм-фактор

SO-DIMM

Частотная спецификация

1600

PartNumber / Артикул Производителя

PSD34G16002S

Вид памяти

DDR3

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

Для ноутбука (SODIMM)

Напряжение питания, В

1.5

Низкопрофильная (Low Profile)

Нет

Общий объем памяти

4 Gb

Радиатор

Нет

Тактовая частота, МГц

1600

CAS Latency

11T

Вес с упаковкой

400 г

Вес товара, г

18

Высота упаковки

60 мм

Длина упаковки

190 мм

Емкость одного модуля

4 ГБ

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания, В

3

Пропускная способность, Мб/с

12800

Размеры, мм

69 х 30 х 3

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SO-DIMM

Ширина упаковки

180 мм

CAS Latency (CL)

11 тактов

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.

Нет

Вид поставки

Retail

Габариты

204 x 30 мм

Количество контактов

204

Количество модулей в комплекте

1 шт

Количество чипов на модуле

16 шт

Компоновка чипов на модуле

Двусторонняя

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.

1.5 В

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.

Нет

Нормальная операционная температура (Tcase)

85 °C

Объем одного модуля

4 ГБ

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.

Нет

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.

12800 Мб/с

Радиатор

Нет

Расширенная операционная температура (Tcase)

95 °C

Стандарт

DDR3

Суммарный объем

4 ГБ

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.

SODIMM

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.

1600 МГц

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.

28

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.

11

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.

11

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.

11